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理论上，述年当两个半导体（PSI和PSII）相互接触时，述年自由电子将会从功函数较小的PSI流向功函数较大的PSII直至二者费米能级拉平，导致PSI的能带向上弯曲而PSII的能带向下弯曲，而空间电荷层内的能带弯曲方向进一步决定了异质结的电荷传输机制。C3N4的价带电位约为+1.6Vvs.NHE (pH 0)，齐鲁在热力学上限制了其产氧性能，将C3N4与具有较强氧化电势的半导体复合构建Z型异质结，有利于提高光催化效率。
图1.BiVO4氧缺陷调控BiVO4样品的（a）XRD，不侥（b）Raman，不侥（c）EPR，（d）XAFS，（e）PAS，（f-i）XPS分析结果氧空位产生电子供体，供体浓度的变化将进一步改变半导体的功函数。图4.光催化性能分析BiVO4/C3N4样品的（a）XRD，幸不懈怠（b-c）HRTEM及EELS面扫，（d）瞬态荧光，（e）EIS及（f）纯水分解性能分析结果本文由ScienceBulletin期刊投稿。对VK-edge的扩展边X射线吸收精细谱（XAFS）进行R空间拟合，共过健结果表明，共过健V–O第一配位壳层强度从BiVO4-170到BiVO4-100逐渐增大，且平均V–O键长略有增加，说明氧缺陷浓度逐渐降低。
文章信息：康祥ShangcongSun,RuijieGao,XianlongLiu,LunPan,ChengxiangShi,ZhengJiang,XiangwenZhang,Ji-JunZou.Engineeringinterfacialbandbendingoverbismuthvanadate/carbonnitridebyworkfunctionregulationforefficientsolar-drivenwatersplitting.ScienceBulletin,https://doi.org/10.1016/j.scib.2021.10.009 相比于单一半导体，康祥异质结能够有效促进光生电荷的空间分离并延长载流子寿命。BiVO4-100的vs(V–O)拉曼特征信号在约812.6cm-1处，和年相对于BiVO4-170和BiVO4-150向低频方向移动，和年由此计算得到BiVO4-170的V–O键长为1.70Å，而BiVO4-100的V–O键长为1.71Å。
网络网评XRD结果表明所有样品均为单斜白钨矿晶相。
（一）BiVO4氧缺陷浓度与功函数调控利用水热法合成BiVO4并控制其氧缺陷浓度，述年样品分别命名为BiVO4-170、BiVO4-150及BiVO4-100。5月21日上午，齐鲁刘先生外出上班，家中发生火灾，幸好邻居发现为其报警。
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